淀積在不同小傾角藍寶石襯底的n型GaN的研究
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上傳人：邢艷輝,韓軍,鄧軍,李建軍,沈光地 上傳時間： 2011-08-31 瀏覽次數： 67 |
| 作者 | 邢艷輝,韓軍,鄧軍,李建軍,沈光地 |
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| 單位 | 北京工業大學電子信息與控制工程學院 |
| 分類號 | TN304.05 |
| 發表刊物 | 物理學報 |
| 發布時間 | 2009年04期 |
引言
GaN,AlN和InN等氮化物半導體材料可用于制備發光二極管(LED)和半導體激光器,發光范圍從紫外到紅光[1,2].要制備這樣的器件,控制雜質濃度,實現n型和p型摻雜是必須的,Mg作為受主的摻雜劑已有很多報道[3],Si用作施主摻雜劑或為提高有源區的發光效率而摻入InGaN層中[4].由……
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