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淀積在不同小傾角藍寶石襯底的n型GaN的研究

上傳人:邢艷輝,韓軍,鄧軍,李建軍,沈光地

上傳時間: 2011-08-31

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作者邢艷輝,韓軍,鄧軍,李建軍,沈光地
單位北京工業大學電子信息與控制工程學院
分類號TN304.05
發表刊物物理學報
發布時間2009年04期

引言

  GaN,AlN和InN等氮化物半導體材料可用于制備發光二極管(LED)和半導體激光器,發光范圍從紫外到紅光[1,2].要制備這樣的器件,控制雜質濃度,實現n型和p型摻雜是必須的,Mg作為受主的摻雜劑已有很多報道[3],Si用作施主摻雜劑或為提高有源區的發光效率而摻入InGaN層中[4].由……

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