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GaN LED量子阱光發射模型

上傳人:鄒曉,徐靜平,陳衛兵

上傳時間: 2011-09-16

瀏覽次數: 149

作者鄒曉,徐靜平,陳衛兵
單位華中科技大學電子科學與技術系
分類號TN312.8
發表刊物華中科技大學學報(自然科學版)
發布時間2005年11期

  Ⅲ-V族化合物InN,GaN,AlN及其三元合金得到廣泛應用,其中發光二極管(LED)是重要的應用領域.GaN LED一般采用InGaN作為有源層的量子阱結構,其發光機制歸于被局限在阱內的電子和空穴復合產生光子[1~3].但目前有關InGaN/GaN量子阱發光的模型未見報道.本文從電流注入、載流子俘獲……

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