Si基CeO_2薄膜的發光特性
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上傳人：王申偉,衣立新,丁甲成,高靖欣,王永生 上傳時間： 2011-10-25 瀏覽次數： 58 |
| 作者 | 王申偉,衣立新,丁甲成,高靖欣,王永生 |
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| 單位 | 北京交通大學光電子技術研究所發光與光信息技術教育部重點實驗室 |
| 分類號 | O484.41 |
| 發表刊物 | 發光學報 |
| 發布時間 | 2010年05期 |
引言
隨著科學技術的發展,硅基光電集成成為當前提升信息傳遞速度的有效途徑之一,因此獲得高效穩定的硅基發光器件成為當前研究的主要課題。由于量子限域效應,納米硅(nc-Si)可以由間接帶向準直接帶轉變,從而大大提高nc-Si的發光效率[1]。人們先后研究了多孔硅、nc-Si薄膜以及……
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