1、GaN基LED和激光器結構的MOCVD生長

　　金屬有機化學汽相沉積是生產氮化物基微電子器件和光電子器件最重要的方法。高亮度白光LED要替代白熾燈，其單位流明光輸出的價格必須大幅下降。要達到這個目的，就要更好的理解GaN的生長過程和生長重要性。而且，批量LED生產需要具有可靠的在位過程控制的多片生產設備。對于全球的LED生產商來說，重要的任務之一便是生產成品率的優化。因此，外延片徑向上的波長一致性的改善是至關重要的。

　　對于藍光和白光LED來說，因為GaN襯底的價格一直比較昂貴，所以(Al、In、Ga)N之類的薄膜通常生長在藍寶石或者碳化硅這種異質襯底上。由于在襯底和外延層存在晶格失配和熱膨脹系數不同等問題，氮化物生長過程中會引起應力積累，造成很大的晶片彎曲。

　　在生長過程中晶片玩去導致的一個重要影響是晶片和襯底支架間熱接觸的變化。這對于含In化合物尤其重要。因為在MOCVD生長中In組分對溫度非常敏感，這就意味著生長過程中的彎曲會引起器件有源區的不均勻。

　　因此，為了優化生產工藝，了解在位檢測在不同生長溫度下的晶格失配和熱膨脹系數差異對總應力的影響是非常重要的。

　　2、如何消除彎曲

　　在藍光和綠光波長范圍內，器件的有源區由InGaN多量子阱構成。在InGaN生長環境下，減少晶片的彎曲可以直接改善組分的均勻性和光電器件的產率。本文通過實驗，仔細研究了襯底特性、生長溫度和應變補償層對晶片彎曲的影響。以改善光輸出的均勻性。