新日鐵將投產高質量100mm底板搶奪Cree領地
2007-10-24
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來源：中國半導體照明網
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摘要： 繼美國Cree之后的第二大SiC底板廠商何時出現?這是SiC半導體市場形成的關鍵”——眾多SiC半導體的組件技術人員都這么認為。因為只要Cree獨霸市場的狀態持續，底板價格就很難降低。此次【ICSCRM】展示了直逼Cree的100mm(4吋)直徑高質量底板，提高了在業界的知名度的就是新日本制鐵。
“繼美國Cree之后的第二大SiC底板廠商何時出現?這是SiC半導體市場形成的關鍵”——眾多SiC半導體的組件技術人員都這么認為。因為只要Cree獨霸市場的狀態持續，底板價格就很難降低。此次【ICSCRM】展示了直逼Cree的100mm(4吋)直徑高質量底板，提高了在業界的知名度的就是新日本制鐵。
新日本制鐵此次將直徑為100mm的4H-SiC底板的微管(中空貫通缺陷)最低減少到了2個(演講序號：Mo-2A-1)。微管的存在密度為0.03個/cm2。該公司將于2008年度投產這種高質量的100mm直徑底板。另外還計劃投產形成有外延SiC膜的直徑100mm底板。另外，該公司將SiC底板的銷售委托給了日本最大的硅晶圓廠商——信越半導體。（編輯：PCL）
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