13日，歐司朗光電半導體發布新聞稿表示，成功研發直接發光綠色氮化銦鎵(InGaN) 激光，該款激光的光輸出高達 50 mW，發射波長為 515 nm 的真綠光線。與目前采用倍頻技術的半導體激光相比，直接發光綠色激光器體積更小，溫度穩定性更高，調制能力更強，更易于控制。

　　歐司朗光電半導體突破氮化銦鎵 (InGaN) 材料系統以往的局限性。在預開發階段，歐司朗光電半導體即已采用氮化銦鎵 (InGaN) 材料成功生產出首款光輸出較高的直接發光綠色激光二極管。該款二極管可發射“真綠”光線，光譜范圍介于515-535 nm 之間。在這個光譜范圍內，目前市售的優質高效半導體激光器僅限于倍頻版本。然而，從中期來看，直接發光綠色激光器可在眾多應用中取代倍頻激光器，因為相比之下，直接發光綠色激光器更易于控制，溫度穩定性更高，體積更小，而且在數百兆赫時調制能力更強。

　　歐司朗光電半導體技術總監 Christian Fricke 博士表示，在脈沖模式下，實驗室原型在室溫下的光輸出已達到 50 mW，閥值電流密度約為 9 kA/cm²。這臺演示器足以證明，可以使用氮化銦鎵 (InGaN) 生產綠色激光器。因此，歐司朗將著手開始生產具有成本效益的緊湊型高品質綠色激光光源。綠色激光器廣泛應用于醫療和工業領域，也可用作移動迷你投影機的光源。采用直接發光綠色激光器，可使這類投影機的體積更小、性能更佳。目前，歐司朗光電半導體已推出商用藍色氮化銦鎵 (InGaN) 激光二極管。