科銳公司 (Cree, Inc) (Nasdaq: CREE)宣布推出第二代碳化硅 (SiC) 功率MOSFET，是能夠使系統實現高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解決方案。這新型1200V耐壓功率的MOSFET提供業界領先的功率密度和切換效率，每安培成本只有科銳前一代MOSFET產品的一半。從性價比上，新型的功率MOSFET是尺寸更小及重量更輕的碳化硅系統，通過提高效率及降低安裝成本，協助OEM客戶降低系統成本，并為終端用戶節省額外花費。

　　德國弗萊堡 (Freiburg) 行內著名的Fraunhofer研究院 (Fraunhofer-Institute) 專家Bruno Burger博士表示：“我們已經在先進的太陽能電路中采用科銳第二代碳化硅功率MOSFET進行評估。它們擁有最好的效率，并能讓系統在較高切換頻率時運作，從而實現尺寸更小的被動元件，尤其是更小的電感器。這樣大大提高了太陽能逆變器的成本/效能折衷，有助開發更小、更輕及更高效的系統。”

　　在一些高功率應用上，這些新型SiC MOSFET的優越性能可削減50%~70%所需額定電流。經過妥當的最佳化之后，客戶現在能以與以往的硅解決方案相同或更低的系統成本，獲得碳化硅性能上的優勢。對于太陽能逆變器和不斷電系統(UPS)，效率會隨著尺寸和重量的減少而提升。在馬達驅動應用方面，可協助其功率密度增加一倍以上，同時提高工作效率，并較其它具有相同額定的硅解決方案提供多兩倍的最大扭矩。新產品提供的范圍已經擴展到包含一個更大的25毫歐姆晶粒，鎖定30kW以上功率水準的高功率模組市場;而80毫歐姆元件則為第一代MOSFET提供更低成本、更高性能的升級方案。

　　科銳功率及射頻事業部副總裁及總經理Cengiz Balkas表示：“有了這個新MOSFET平臺，我們在多個領域上都贏得客戶的導入設計。由于第二代SiC MOSFET受到迅速接納，我們不但提前為幾家客戶量產出貨，而且我們也正在依客戶要求加速量產。”

　　科銳現提供額定電阻為25毫歐姆及80毫歐姆的晶粒，前者作為50安培基本組件用于高功率模組;而80毫歐姆導功率MOSFET則采用TO-247封裝，以優越性能及較低成本，取代科銳第一代產品CMF20120D。封裝元件可通過代理商DigiKey、Mouser和Farnell公司即可購得。