2月5日，《紐約時報》刊登題為《美國對中國芯片雄心的擔憂與日俱增》的文章，文章中稱，“中國正投入巨資打造本國半導體產業，這一提升其軍事力量及本土科技產業的舉動引起華盛頓的注意”。而在2016年1月下旬，美國外商投資委員會否決了中國投資者以29億收購飛利浦旗下子公司的照明業務的提議，就是美國政府擔憂的具體體現。這早已不是第一次中資收購國外科技公司被美國政府阻擾，從早些年華為試圖收購3COM，到去年紫光提出收購鎂光被否決，中資在海外收購科技公司被行政力量阻撓已經屢見不鮮。

　　美國為何阻撓收購

　　美國政府要阻止的并非中國投資人所收購的照明業務本身，而是要阻止中國投資人通過收購飛利浦旗下子公司的照明業務后，進而掌握第三代半導體材料氮化鎵的相關技術。

　　半導體材料發展至今已歷三代：第一代半導體材料以鍺和硅為代表，被廣泛運用于集成電路制造領域;第二代半導體材料以砷化鎵、磷化銦為代表，主要應用于以光發射器件為基礎的光顯示、光通信和光存儲等光電子系統;第三代半導體材料則以氮化鎵、碳化硅、金剛石為代表，具有具有寬的帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、高熔點(1700攝氏度)、耐腐蝕等優點。特別是在傳統材料的功率器件發展到材料極限，已經很難滿足高頻、高溫、高功率、高效能、小型化等方面新需求的情況下，氮化鎵則可憑借其材料特性，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面取而代之。

　　氮化鎵、碳化硅與硅的性能對比

　　也正是因此，諸多科技公司紛紛致力于氮化鎵功率器件的研發和生產——2015年1月，富士通和美國Transphorm在會津若松量產氮化鎵功率器件;2015年3月，松下和英飛凌達成共同開發氮化鎵功率器件的協議;同月，東芝照明技術公司開發出在電源中應用氮化鎵功率元件的鹵素LED燈泡……國內也有中航微電子、中鎵半導體等公司從事該領域的研發和生產，上海市政府則投入100億資金用于半導體材料的研發(不局限于氮化鎵)。

　　可以說，氮化鎵已經全球半導體研究的前沿和熱點。那么，“高大上”的第三代半導體材料是怎樣和普普通通的電燈產生交集的呢?

　　由于氮化鎵的優異材料特性——氮化鎵基LED比傳統LED外形更小、功率更高、發光度更強，使其在LED電視、顯示器和普通照明領域獲得大展拳腳的空間，而中國一旦完成對飛利浦旗下子公司Lumileds的控股，則有可能獲得氮化鎵方面的相關技術。

　　更關鍵的是，氮化鎵在高頻大功率應用方面，其功率密度是現有的砷化鎵材料器件的10倍，不僅可以廣泛運用于通信基站、電動機車、電動汽車、風力發電等民用領域，還可以用于相控陣雷達等特殊領域。

　　因此，無論是對半導體產業的發展，還是在軍事應用方面，氮化鎵都有非常重要的意義。美國政府之所以阻止中國投資人收購飛利浦旗下子公司的照明業務，既有出于技術在軍事應用和國家安全方面的考慮，但更多的還是出于打壓中國半導體產業發展，保持美國科技公司技術優勢方面的考量。