在追蹤藍寶石襯底技術7年后，江風益于2003年將目光對準了硅襯底LED技術。

　　彼時，藍寶石襯底和碳化硅襯底已經把持了LED全行業市場。“藍寶石和碳化硅核心專利全在日美等國手里，如果我國LED產業仍沿著這兩條技術路線發展，勢必會因技術壁壘而在市場競爭中處于劣勢，產業難以可持續發展。”江風益表示。

　　此時，硅襯底LED已被絕大多數國內外同行判處“死刑”。鑒于藍寶石襯底和碳化硅襯底各自的不足，在硅襯底上制備高光效GaN基LED成為學界夢寐以求的目標;但是由于硅和氮化鎵巨大的晶格失配和熱失配導致外延膜龜裂、晶體質量差，襯底的不透光導致出光率較低等問題長期不能解決，硅襯底LED逐漸被學界認為是無法完成的工作。

　　“當時也知道這是個世界難題，研究難度很大，但研究實踐下來，我們覺得還是有希望的。”江風益對自己的研究團隊稱贊有加，“我的博士生在實驗做到第六次時就已經激發出那么一點點藍光，雖然很微弱，但已經讓我們很興奮，發出藍光就有戲嘛。”江風益清楚記得那天是2003年12月28日。在次日的年終總結表彰大會上，江風益授予這個博士生“工程中心自然科學三等獎”。

　　南昌大學對該項研究的鼎力支持也讓江風益更有信心，彼時學校從教育部給予的4500萬的“教育振興行動計劃”款中拿出1945萬扶持硅襯底LED研究。

　　江風益采用的是硅基圖形化技術，把整個襯底平面分割刻成一個個“芯片大小的方塊”，每個方塊之間外延材料互不相連，大大減少了熱失配產生的張應力，外延膜就不會因為變形而產生龜裂。

　　最終，實驗室的那一點幽弱藍光形成了星火，開始了燎原之勢，這項技術成功了，并量產了一些小功率的器件。

　　但這其中的艱辛也許只有身處其中才能體會。從設計到實驗、到中試、再到小規模量產，江風益的團隊進行了5000多次試驗;2004年，江風益團隊開發出硅襯底GaN基LED材料與器件技術，2005年完成了實驗室樣品，2006年依托硅襯底LED技術成立晶能光電，2007年中試成功，2008年開始小批量試生產，2009年實現硅襯底小功率LED芯片量產。

　　2016年1月8日，2015年度國家科學技術獎勵大會在人民大會堂隆重舉行，江西省推薦的“硅襯底LED項目”榮獲國家技術發明一等獎，江風益作為項目第一完成人代表團隊上臺接受了頒獎。對此殊榮，江風益表示，這是整個團隊60多人的集體貢獻，感謝科技部、工信部、江西省政府、南昌市政府、南昌高新區和南昌大學等各方的大力支持。

　　“從1987年我到中科院長春物理研究所攻讀發光學專業碩士研究生算起，我在這個領域已經29個年頭了，回顧科研工作經歷，可以用井岡山24字精神概述之：堅定信念、艱苦奮斗、實事求是、敢創新路、依靠群眾、勇于勝利。”江風益總結科研半生，頗為感慨。采訪過程中，江風益多次提到要感謝各級政府的支持和團隊的堅持，“做科研要吃得了苦、吃得了虧，還要臉皮厚，不要太在乎別人看法，堅持自己。”當記者問及硅襯底LED項目是否有望沖擊國際大獎時，江風益表示“搞科研從來不曾以獲獎為目的，搞科研就是要踏踏實實做出服務人類、改善民生的技術成果，推動社會進步。”

　　而談及LED產業和個人后續發展，江風益再一次強調團隊和有所為有所不為，“從技術角度看LED還處于嬰兒期，誰能突破技術瓶頸，實現100%LED照明，誰就能引導下一代半導體照明技術;而氮化鎵材料在功率器件方面更具有廣闊的前景。我還是繼續有所為有所不為，專注發光吧，希望研究團隊在不遠的將來實現無需熒光粉的100%LED照明。”