4月8日，山東濟南槐蔭經濟開發區重點招商引資項目簽約儀式舉行。此次簽約項目總投資額達到127.38億元，包括中鴻新晶第三代半導體產業集群等10個項目。

據山東發布指出，中鴻新晶第三代半導體產業集群項目總投資約111億元，總建設周期5年，分三期進行。

其中項目一期產業投資8億元，計劃3年內完成第三代半導體產業集群初步建設，完成深紫外LED生產線20條，6-8英寸碳化硅單晶生產、加工、碳化硅外延生產線各2條，氮化鎵中試線1條。一期完成后，將實現年產值20億元，利稅24.2億元。

項目二期投資51億元，完成第三代半導體產業基金的募集工作，并購瑞典ASCATRON(艾斯科強) 公司，打造全球領先的“國家級戰略新興半導體研究院”視一期進展及市場需求情況適時啟動，計劃2年內完成6-8英寸碳化硅單晶擴產、6-8英寸氮化鎵外延、射頻器件、功率器件生產線各1條。二期完成后，將實現年產值120億元，利稅將超過20億元。

項目三期投資52億元，將ASCATRON公司后續芯片生產全部轉移至中國，項目建成后預期將帶動上下游產業近千億元產值。

該項目依托中科院半導體所、微電子所等源頭創新力量，中電化合物公司及航天國際有限公司等產業龍頭、中南資本、中科院控股等金融資本，由中鴻新晶公司提供先進技術與團隊，整合韓國浦項半導體、LG半導體，瑞典Epiluvac(艾彼盧米肯)等國際知名半導體企業優勢資源，采用產業鏈垂直整合模式，打造覆蓋以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體研發、設計、制造、封裝、測試等全產業鏈，涵蓋單晶生長、外延、器件、模塊等全產品線。

資料顯示，中鴻新晶科技有限公司成立于2017年，是為第三代半導體產業鏈提供原材料和裝備解決方案的高科技企業、專業從事第三代半導體高純碳化硅微粉生產、碳化硅單晶爐的研發制造，碳化硅和氮化鎵芯片設計和制造的企業。中鴻新晶的愿景是要做第三代半導體全產業鏈的領跑者，承擔起中國在電子信息產業換道超車、重塑世界半導體產業格局的時代使命。