AlGaInP/GaInP多量子阱的拉曼光譜
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上傳人：陳練輝,范廣涵,孟耀勇,劉桂強, 上傳時間： 2011-08-16 瀏覽次數(shù)： 309 |
| 作者 | 陳練輝,范廣涵,孟耀勇,劉桂強, |
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| 單位 | 華南師范大學(xué)光電子材料與技術(shù)研究所,華南師范大學(xué)激光生命科學(xué)研究所 |
| 分類號 | O472.3 |
| 發(fā)表刊物 | 量子電子學(xué)報 |
| 發(fā)布時間 | 2004年06期 |
引言
四元合金材料AIGalnP具有較寬的直接帶隙,并可與GaAS襯底晶格完全匹配,實現(xiàn)從綠光到紅光各種波長的發(fā)光。相比于雙異質(zhì)結(jié)(DH),多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)AIGalnP能產(chǎn)生更高的載流子密度,從而增加輻射復(fù)合效率;有效地縮短了發(fā)光區(qū)長度,從而減少材料對光子的自吸收[l];產(chǎn)生量子尺……
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