基于藍寶石及碳化硅襯底的氮化鎵LED在過去的二十年里取得了不少的進步，但仍然無法滿足與自然光照類似的那些光學質量指標。這個缺陷的存在，一定程度上歸咎于LED行業過于專注在提升燈光的發光兩上，從而犧牲了很多其他方面的指標。例如色彩及白色的再現、光斑以及總的光輸出等。為此，我們需要一種不同的方法來實現高效率的LED，并利用其性能來實現與自然光類似的質量指標。讓我們來探討刻畫光照質量的不同方法，并考察構建于均勻的同質襯底之上的LED器件如何來發揮其作用。

　　最近出現的GaN-on-GaN技術，從性能角度給LED帶來了改進的空間，使之能夠更加專注于光照質量的提高。這種第三代器件展現了峰值高達80%的電光轉換效率，以及在150A每平方米電流密度時的效率為65%。這個電流密度時其他襯底LED器件的五倍，甚至更多。這種性能上的飛越帶來了兩方面的實際效益。一方面，它為運行于高溫及高電流密度環境的系統強制使用LED照明方案提供了可能性，這是傳統LED技術所難以達到的。另一方面，效率提升帶來的性能余量可以用于提升燈光的光質量。

　　實際上，光質量必須作為光源的一項基本特性來考量。光質量包括許多方面，但最廣為人知的可能就是色彩還原性。后者對深紅色很重要，尤其是對人類皮膚色調的表現非常關鍵。大多數LED產品適度地將Ra控制在80左右范圍。而R9則在0以上。長久以來業界認為這個水平是足夠的。從另一方面來說，指標高達Ra=95、R9=95的高端產品同樣也是有需求空間的。如此高的顯色性能要求出現在光譜的兩端，從而得到成本效益。GaN同質襯底技術的超高效率水平，將會特別有助于CRI指標的提高，因為其效率余量足以補償高顯色性級別所固有的不足。