大功率GaN基白光LED熒光層失效機(jī)理研究
上傳人:LEDth/整理 上傳時(shí)間: 2014-12-19 瀏覽次數(shù): 66 |
作者 | 吳艷艷/馮士維/周 舟/魏光華 |
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單位 | 北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院 |
分類號 | TN383.1 |
發(fā)表刊物 | 激光與光電子學(xué)進(jìn)展 |
發(fā)布時(shí)間 | 2012年6月 |
1 引 言
可靠性是影響發(fā)光二極管(LED)性能的主要因素。功率型LED 失效的原因主要是發(fā)光芯片的老化和封裝材料性能的退化,結(jié)溫和電流都會加速LED 的老化。在某些條件下長期服役,大功率白光LED 表面會形成一層黑色物質(zhì),影響光的取出,并帶來產(chǎn)品可靠性的一系列問題。此前已發(fā)現(xiàn)藍(lán)光LED 有同樣的現(xiàn)象發(fā)生,實(shí)驗(yàn)表明大功率藍(lán)光LED 芯片發(fā)出的藍(lán)光會使封裝芯片的環(huán)氧樹脂膠(已固化出現(xiàn)老化的現(xiàn)象,降解后的環(huán)氧樹脂膠內(nèi)部結(jié)構(gòu)發(fā)生明顯改變,大量的C-O 鍵、C=O 鍵被打開(芯片工作時(shí)產(chǎn)生的高溫會加速這一過程),形成游離的C、O 原子,最后沉積在芯片和膠水之間的界面上,產(chǎn)生黑區(qū)。
目前,白光LED 的主流實(shí)現(xiàn)方式為藍(lán)光芯片加上黃色熒光粉,通過藍(lán)黃光的轉(zhuǎn)化得到白光。熒光層的制作是通過將YAG 熒光粉(由Y2O3、Al2O3 反應(yīng)生成的復(fù)合氧化物)與AB 膠(主要為有機(jī)硅樹脂材料)混合,加入增亮劑、抗沉淀劑等,烘干后涂覆。由于大功率LED 在正常工作情況下結(jié)溫可以高達(dá)100 ℃,而熒光層的熱導(dǎo)率有限,致使熒光粉顆粒溫度會相應(yīng)升高,甚至高于芯片上的結(jié)溫,引起波長的漂移、顏色不純等一系列問題;再加上藍(lán)光長時(shí)間照射,光熱耦合作用不可忽視,使得在芯片與熒光層界面處的情況相對復(fù)雜。有機(jī)硅樹脂相較于環(huán)氧樹脂具有熱穩(wěn)定性好、耐紫外光性強(qiáng)和內(nèi)應(yīng)力小等優(yōu)點(diǎn),但以此作為配粉膠后,雖然白光LED 的壽命有了較大提高,但是光衰問題依然存在,而對以有機(jī)硅作為配粉膠的熒光層特性的研究相對缺乏。
本文著重于大功率白光LED 表面變黑現(xiàn)象的分析。首先通過對變黑的位置確定和成分分析,判定失效模式,進(jìn)而對引發(fā)失效的因素(包括溫度和光照)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)分析。
2 失效樣品描述與測試
在可靠性實(shí)驗(yàn)中,通常采用加速應(yīng)力的方法,快速有效評價(jià)器件性能。在早期的高溫、大電流和功率循環(huán)等一系列可靠性實(shí)驗(yàn)過程中,部分樣品出現(xiàn)了類似的變黑現(xiàn)象。實(shí)驗(yàn)中所使用的樣品是批量生產(chǎn)的,采用了相同的材料和工藝,光電參數(shù)呈現(xiàn)良好的均一性,襯底為SiC材料。失效情況選取以上實(shí)驗(yàn)過程中的一種進(jìn)行分析:5只大功率(1 W)、GaN 基白光LED串聯(lián)后加350mA 工作電流,置于散熱良好的平臺上,入溫箱,設(shè)置溫箱溫度為120 ℃。已知器件熱阻均值10 K/W,則芯片結(jié)溫為130 ℃,并未超過器件工作時(shí)極限溫度140 ℃,經(jīng)過40h后,其中兩只出現(xiàn)變黑現(xiàn)象。外觀檢查發(fā)現(xiàn),燈杯和灌封膠未出現(xiàn)黃化,光透射率良好,燈杯灌封邊緣膠體呈現(xiàn)熔融跡象,且在靠近電極一側(cè)有燒蝕現(xiàn)象,甚至出現(xiàn)小洞,可見密封性變差。去除燈杯與灌封膠后,對失效樣品表面進(jìn)行光學(xué)照相,如圖1所示。用萬用表檢查時(shí)發(fā)現(xiàn),未被黑色物質(zhì)覆蓋的邊緣區(qū)域仍可以發(fā)光。
在實(shí)驗(yàn)結(jié)束后分別對變黑與未變黑的樣品進(jìn)行分析測試,采用半導(dǎo)體特性分析儀Agilent4155C 分析電流電壓(I-V)特性,浙江大學(xué)三色的光學(xué)測試系統(tǒng)測試光功率;對樣品進(jìn)行剖面切割制樣,分別使用掃描電鏡SEM(JEOLJSM 6500F)和X 射線能譜分析儀(7000XEDS)觀察形貌和組分分析,確定失效樣品的變黑位置和組成。
圖1 變黑LED 芯片表面的光學(xué)照片
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