由于藍寶石基板的導熱系數差，影響LED的發光效率。為了解決LED的散熱難題，未來有可能將主要采用垂直結構LED的架構，促進LED產業的技術發展。關于垂直結構LED技術相信大家都有所耳聞，下面僅從技術表層進行介紹，謹供參考。

　　我們知道，LED芯片有兩種基本結構，橫向結構（Lateral）和垂直結構（Vertical）。橫向結構LED芯片的兩個電極在LED芯片的同一側，電流在n-和p-類型限制層中橫向流動不等的距離。垂直結構的LED芯片的兩個電極分別在LED外延層的兩側，由于圖形化電極和全部的p-類型限制層作為第二電極，使得電流幾乎全部垂直流過LED外延層，極少橫向流動的電流，可以改善平面結構的電流分布問題，提高發光效率，也可以解決P極的遮光問題，提升LED的發光面積。

　　我們先來了解下垂直結構LED的制造技術與基本方法：

　　制造垂直結構LED芯片技術主要有三種方法：

　　一、采用碳化硅基板生長GaN薄膜，優點是在相同操作電流條件下，光衰少、壽命長，不足處是硅基板會吸光。

　　二、利用芯片黏合及剝離技術制造。優點是光衰少、壽命長，不足處是須對LED表面進行處理以提高發光效率。

　　三、是采用異質基板如硅基板成長氮化鎵LED磊晶層，優點是散熱好、易加工。