制造垂直結構LED芯片有兩種基本方法：剝離生長襯底和不剝離生長襯底 。其中生長在砷化鎵生長襯底上的垂直結構GaP基LED芯片有兩種結構：

　　不剝離導電砷化鎵生長襯底：在導電砷化鎵生長襯底上層迭導電DBR反射層，生長 GaP 基LED外延層在導電DBR反射層上。

　　剝離砷化鎵生長襯底：層迭反射層在GaP基LED外延層上，鍵合導電支持襯底，剝離砷化鎵襯底。導電支持襯底包括，砷化鎵襯底，磷化鎵襯底，硅襯底，金屬及合金等。

　　另外，生長在硅片上的垂直GaN基LED也有兩種結構：

　　不剝離硅生長襯底：在導電硅生長襯底上層迭金屬反射層或導電DBR反射層，生長氮化鎵基LED外延層在金屬反射層或導電DBR反射層上。

　　剝離硅生長襯底：層迭金屬反射層在氮化鎵基LED外延層上，在金屬反射層上鍵合導電支持襯底，剝離硅生長襯底。

　　再簡單說明制造垂直氮化鎵基 LED 工藝流程：層迭反射層在氮化鎵基 LED 外延層上，在反射層上鍵合導電支持襯底，剝離藍寶石生長襯底。導電支持襯底包括，金屬及合金襯底，硅襯底等。

　　無論是GaP基LED、GaN基LED，還是ZnO基LED這一類通孔垂直結構LED，相比傳統結構LED有著較大的優勢，具體表現在：

　　1、目前，現有的所有顏色的垂直結構LED：紅光LED、綠光LED、藍光LED及紫外光LED，都可以制成通孔垂直結構LED有極大的應用市場。

　　2、所有的制造工藝都是在芯片（ wafer ）水平進行的。

　　3、由于無需打金線與外界電源相聯結，采用通孔垂直結構的 LED 芯片的封裝的厚度降低。因此，可以用于制造超薄型的器件，如背光源等。