早在2008年，羅姆就提出“相乘戰略”、“LED戰略”、“功率元器件戰略”、“傳感器網絡戰略”的4大發展戰略，從這些戰略不難看出，羅姆公司的產品正朝著節能環保的方向發展。

　　8月30日，羅姆公司主辦的“2013 ROHM科技展”，在廣州嘉鴻華美達廣場酒店成功召開。從羅姆展出的功率元器件看，碳化硅作為新一代元功率器件材料備受矚目。SiC在高溫下擁有出眾的工作特性、電力損失少、可高速化，這些特性在各種應用中更加節省電力。羅姆的技術推廣人員講到：“我們常說的省電，通過元器件技術一點點實現。”

　　不少IC都受到尾電流(關斷時流過的過渡電流)的困擾，在開關的時候，電力損耗較大。從HybridMOS和SiC的新產品MOS來看，羅姆已經克服尾電流的難關，在關斷時開關損耗可以減少90%，而且可實現50kHz以上的驅動開關頻率，實現機器的節能化。

　　今年4月，羅姆開發的Hybrid MOS展現出強大的效率性能和適應性。它既具備SJ型功率MOSFET的高速開關特性與良好的低電流性能，又具備IGBT的高耐壓特性。此前，要求具備節能性的電子設備一直使用具有高速開關特性和良好低電流性能的SJ型功率MOSFET。但是，工業用大功率設備要求能在高溫下工作并具備良好的大電流性能，SJ型功率MOSFET顯得性能不佳，只能采用IGBT。HybridMOS無論是在低電流區域還是大電流區域，均可獲得較高的轉換效率。該產品主要用于服務器、工業設備、節能家電等配備的電源電路及功率因數校正(PFC)電路。

　　相對Si材質器件，新一代SiC器件在性能上具有絕對的優勢：耐高溫、耐高壓、耐高頻。羅姆的目標是以SiC為核心，強化IC、TR等功率元件的產品線。通過擴大普及SiC器件，還能助力全球范圍內實現節能和減少CO2的排放。

　　據介紹，SiC的抗擊穿能力是Si的10倍，寬能帶隙是硅的3倍，高熱傳導是硅的3倍。那SiC材料的出現會不會取代Si的市場?羅姆的技術推廣人員做出解釋，SiC的效率很高，決定它會有很大的市場。目前，主要的缺點是價格太高，這需要業界各企業共同努力，改進生產技術。由于SiC的特性，將來在高壓產品的領域可能會替代Si成為主流材料，但在低壓、低電流產品Si的性能會比較好，依舊在市場中占據優勢。

　　誠如羅姆的技術推廣人員所言“SiC的效率很高，決定它會有很大的市場。”作為半導體技術首屈一指的主導企業，羅姆引領世界之先，致力于低損耗元器件的開發，已經從半導體材料硅錠采集到模具，形成一條龍的制造、開發體系。羅姆產品的“節能環保”，正是從小小的元器件開始。