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覆晶結(jié)構(gòu)封裝工藝、應(yīng)用市場分析、將成技術(shù)主流?|微課實錄

2016-05-09 作者: 來源:阿拉丁新媒體 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0

摘要: 首先我們來看高密度,要實現(xiàn)高密度光輸出,產(chǎn)品要滿足三個條件。這三個條件實際上是相互關(guān)聯(lián)的,因為大電流意味著高熱量。

  各位朋友,大家好。我是Terrence,我很高興有機(jī)會在這里與大家一起交流、學(xué)習(xí)。與大家分享的是目前LED行業(yè)很多人感興趣的覆晶封裝產(chǎn)品相關(guān)知識。初次使用這種方式交流,有講得不夠好的地方,還望大家多多包涵。

  羅建華 Terrence

  TOYONIA(東洋)中國華南區(qū)總經(jīng)理

  LED器件封裝資深工程師

  高等院校客座講師

  中山市光學(xué)學(xué)會副會長

  本文將從以下四個方面講解:

  覆晶結(jié)構(gòu)封裝的定義及特點

  首先,我們來了解什么是覆晶結(jié)構(gòu)封裝。

  △我也問過度娘,搜索出來的回答基本是側(cè)重第一點,采用了倒裝芯片。我個人認(rèn)為,倒裝芯片是芯片廠的事,并非封裝工藝的核心,所以我加了第二點。

  通過這兩點概括,就可以清晰知道覆晶結(jié)構(gòu)封裝與傳統(tǒng)封裝工藝的不同點。

  在講覆晶結(jié)構(gòu)封裝特點之前,我們還是簡單了解一下倒裝芯片。

  與正裝芯片相比較,除了有源面在藍(lán)寶石下方之外,大家還留意幾點:

  (1)倒裝芯片沒有P極金屬薄膜導(dǎo)電層

  (2)多了電極反射層

  (3)P/N結(jié)與基板的電極采用面連接

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