三安在化合物半導體領域的布局

　　定增募集資金投向化合物半導體項目

　　公司2015年公布定向增發，募集資金投入到廈門光電產業化(二期)項目及通訊微電子器件(一期)項目。

　　據公司最新定期報告，化合物半導體業務已有多家客戶參與試樣驗證，部分芯片已通過性能驗證，部分客戶已開始少量出貨。公司2016年三安集成實現1725.96萬元銷售收入，公司后續將盡快完成其他產品的認證，加快新設備采購進度，加快并購步伐并盡快落實項目，提升核心競爭力和盈利能力。

　　聯手大基金做大做強

　　2015年6月，三安集團將福建三安持有的三安光電2.17億股股份(約占總股本的9.07%)轉讓給集成電路產業基金，轉讓總金額為48.39億元，同年12月集成電路產業基金通過非公開發行擬投入16億用于通訊微電子器件(一期)項目，以GaAs和GaN等III-V族半導體為核心打造集成電路產業。至此，國家集成電路產業基金正式成為公司的第二大股東。產業基金的入股，表明三安光電的技術實力和產品能力得到了認可，同時也奠定了未來三安光電在化合物半導體領域的產業龍頭地位。

　　融資實力得到大幅提升，2016年公司與國開行共同簽署《開發性金融合作協議》，《合作協議》通過并購貸款、項目貸款，集團統借等方式與公司更加深度的合作，并且也拉開了國開行300 億資金重點布局LED芯片、集成電路等領域的序幕。受到了注資的三安，能有更多的余力實現并購或者項目拓展，表現值得期待。

　　與GCS合作共贏

　　2016年11月，公司與GCS成立合資公司——廈門三安環宇集成電路有限公司，其中三安光電出資204萬美元，占比51%。GCS擁有先進成熟的生產工藝技術，沒有足夠的產能;三安光電則處于工藝的摸索階段，有先進的設備和足夠的產能。兩者結合可以以迅速提升公司在射頻通訊和光通訊元件技術水平和專利平臺的構筑，廣闊的客戶網絡與公司現有業務技術與產能形成互補，為公司集成電路開拓海內外市場提供強有力保障，有利于加快公司集成電路業務的發展進程，擴大業務范圍及規模，提高公司盈利水平，提升公司核心競爭力。

　　為服務RFIC/MMIC行業，GCS提供廣泛的III-V族化合物半導體制程技術組合，包括GaAs PHEMT、GaN HEMT等制程技術，以提升客戶產品性能和市場競爭力。公司的GaAs PHEMT工藝可以制作低成本手機開關、高達40GHz的功率放大器芯片(PA)、低噪聲放大器芯片(LNA)等。此外，硅基氮化鎵射頻功率放大器(RF PA)的制程技術也已經通過大批量生產所需的驗證。

　　GCS正在開發氮化鎵制程技術，以供功率電子的應用，諸如太陽能逆變器、風力發電機、traction、不斷電的電力供應器(UPS)、馬達驅動及混合電動車/全電動汽車。　

　　GaN功率電子的工藝技術為0.5um的制程，包括Si基GaN技術和SiC基GaN技術兩種。相比較而言，Si基GaN產品成本更低，而SiC基GaN產品性能更好。

　　我們認為，伴隨著LED芯片行業產能逐漸出清，行業集中度正在快速提升，行業供需存異推進價格理性、三安作為行業龍頭將充分享受寡頭紅利。未來兩年公司LED業務將持續享受市場高景氣下訂單與價格的雙重利好。

　　化合物半導體將打開公司未來新的成長空間，全球范圍內5G、軍工、功率電子等領域對于砷化鎵/氮化鎵器件的需求正在迅速增加，三安光電依托大基金，在人才、技術和產能上快速積累，有望迅速做大做強，成為化合物半導體領域的臺積電。

　　三安光電基本面不斷給市場以驚喜，在行業供需格局的加持與公司自身不斷進步之下，我們看好未來三安成為全球芯片業巨頭的實力，一季度的高增長將只是一個起點，因此我們持續重點推薦，并上調盈利預測至2017-2019年EPS分別為0.72、0.93、1.15