真明麗推出大功率LED—陶瓷覆晶系列XB35 XB50
摘要: 隨著LED照明進入市場,高功率LED的散熱問題越來越受到重視,因為過高的溫度會導致LED發(fā)光效率降低,并且會影響產品的生命周期、發(fā)光效率、穩(wěn)定性,甚至對LED的壽命造成致命性的影響。而研究表明陶瓷基板線路對位精確度高,并且陶瓷基板具有與晶片有著接近的熱膨脹系數(shù)與高耐熱能力,有效的解決了熱歪斜與高溫制程。
功率型LED工作時產生的熱量會使晶片溫度升高。如果LED的散熱問題處理不好,就有可能使晶片溫度升高到超過所允許的最高結溫,從而導致LED的性能退化或失效。
大功率LED封裝由于結構和工藝復雜,并直接影響到LED的使用性能和壽命,一直是近年來的研究熱點。
LED散熱途徑
不同的封裝方式與技術,其散熱方法有所不同,而LED各種散熱途徑方法如圖一所示:
散熱途徑說明:
① 從空氣中散熱;
② 熱量直接由System circuit board導出;
③ 經由金線將熱量導出;
④ 若為共晶及Flip chip制程,熱量將經由芯片至基板導出。
然而,現(xiàn)階段的散熱瓶頸,多數(shù)發(fā)生在將熱量從LED晶片傳導至其基板再到系統(tǒng)電路板為主。此部分的可能散熱途徑:
其一為直接由晶片基板傳導至系統(tǒng)電路板(如圖一途徑②所示),在此散熱途徑里,其LED晶片基板材料的熱散能力是很重要的參數(shù)。
其二,LED所產生的熱也會經由電極金屬導線至系統(tǒng)電路板,一般而言,利用金線方式做電極Bond下,散熱受金屬線本身較細長的幾何形狀而受限(如圖一途徑③所示);因此,開發(fā)共晶 (Eutectic) 或覆晶(Flip chip)接合方式將大幅減少導線長度,并大幅增加導線截面積,如此一來,由LED電極導線至系統(tǒng)電路板的散熱效率將有效提升(如圖一途徑④所示)。
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