真明麗推出大功率LED—陶瓷覆晶系列XB35 XB50
摘要： 隨著LED照明進入市場，高功率LED的散熱問題越來越受到重視，因為過高的溫度會導致LED發光效率降低，并且會影響產品的生命周期、發光效率、穩定性，甚至對LED的壽命造成致命性的影響。而研究表明陶瓷基板線路對位精確度高，并且陶瓷基板具有與晶片有著接近的熱膨脹系數與高耐熱能力，有效的解決了熱歪斜與高溫制程。
傳統晶片與Flip chip結構對比
覆晶型(Flip chip)晶片的優勢在于：
1. 晶片出光效率比傳統晶片高;
2. 熱阻低，散熱好，光衰小;
3. 不用Bond Wire，可靠性高;
4. 可大電流驅動與沖擊，高電流狀態下仍有較好的出光效率
圖五：常規晶片和覆晶晶片不通電流測試光通量倍數變化狀況
第三種制程如下：
此種制程區別于前兩種制程最大的不同是采用了Flip chip制程，此種制程采取了倒裝結構的晶片，這大大的提高了晶片的出光效率。同時由于采用了倒裝晶片，這取消了Bond Wire 環節消除了LED使用過程中連接晶片的引線開路的風險;同時由于采用的是AuSn共晶制程，這大大的降低了晶片到散熱基板之間的熱阻以及LED工作時的結溫Tj，從而提高LED的可靠性以及壽命。
一般而言，LED發光時所產生的熱能若無法導出，將會使LED結面溫度過高，進而影響產品生命周期、發光效率、穩定性。
通過前面的敘述，可知LED封裝的方式與材料搭配對LED的可靠性與壽命有著密切的聯系，為了提高產品的可靠性及壽命，真明麗當前功率型LED封裝主要采用Ceramic+filp chip模式。
制程工藝如下：
內部結構及外觀如圖：
圖六：真明麗ceramic+filp chip產品
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