真明麗推出大功率LED—陶瓷覆晶系列XB35 XB50

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2012-09-29 作者：劉英杰、殷仕樂、鄭朝曦來源：真明麗封裝研發(fā)中心瀏覽量：網(wǎng)友評論： 0 條

摘要： 隨著LED照明進入市場，高功率LED的散熱問題越來越受到重視，因為過高的溫度會導(dǎo)致LED發(fā)光效率降低，并且會影響產(chǎn)品的生命周期、發(fā)光效率、穩(wěn)定性，甚至對LED的壽命造成致命性的影響。而研究表明陶瓷基板線路對位精確度高，并且陶瓷基板具有與晶片有著接近的熱膨脹系數(shù)與高耐熱能力，有效的解決了熱歪斜與高溫制程。

　　傳統(tǒng)晶片與Flip chip結(jié)構(gòu)對比

　　覆晶型(Flip chip)晶片的優(yōu)勢在于：

　　1. 晶片出光效率比傳統(tǒng)晶片高;

　　2. 熱阻低，散熱好，光衰小;

　　3. 不用Bond Wire，可靠性高;

　　4. 可大電流驅(qū)動與沖擊，高電流狀態(tài)下仍有較好的出光效率

圖五：常規(guī)晶片和覆晶晶片不通電流測試光通量倍數(shù)變化狀況

　　第三種制程如下：

　　此種制程區(qū)別于前兩種制程最大的不同是采用了Flip chip制程，此種制程采取了倒裝結(jié)構(gòu)的晶片，這大大的提高了晶片的出光效率。同時由于采用了倒裝晶片，這取消了Bond Wire 環(huán)節(jié)消除了LED使用過程中連接晶片的引線開路的風險;同時由于采用的是AuSn共晶制程，這大大的降低了晶片到散熱基板之間的熱阻以及LED工作時的結(jié)溫Tj，從而提高LED的可靠性以及壽命。

　　一般而言，LED發(fā)光時所產(chǎn)生的熱能若無法導(dǎo)出，將會使LED結(jié)面溫度過高，進而影響產(chǎn)品生命周期、發(fā)光效率、穩(wěn)定性。

　　通過前面的敘述，可知LED封裝的方式與材料搭配對LED的可靠性與壽命有著密切的聯(lián)系，為了提高產(chǎn)品的可靠性及壽命，真明麗當前功率型LED封裝主要采用Ceramic+filp chip模式。

　　制程工藝如下：