真明麗Ceramic+filp chip產品介紹

　　通過前面闡述，LED熱阻及結溫是影響LED出光效率及壽命的兩個關鍵因素，相反的，當LED的熱阻降低以及LED工作時結溫較低時，LED將擁有更好的出光效率以及更長的壽命。因此要提高LED的出光效率以及降低熱阻及結溫以便提高LED的可靠性上面，必須尋找一種有著高導熱系數以及與晶片近似的熱膨脹系數的材料作為LED散熱基板成為了一種研究方向。同時由于LED產生的90%熱量都是向下走，基于散熱考慮，研究表明陶瓷基板線路對位精確度高，并且陶瓷基板具有與晶片有著接近的熱膨脹系數與高耐熱能力，有效的解決了熱歪斜與高溫制程，為業界公認導熱與散熱性能極佳材料，被大量的使用于功率型LED。

　　當前主流的Ceramic產品幾種常見制程介紹：

　　第一種如下：

　　此種制程方式制備的LED與傳統的方式幾乎一致，不同的是傳統大功率采用的是金屬熱沉，而這里采用的是陶瓷散熱基板，很重要的白光制程依然采用傳統的點膠方式。

　　第二種如下：

　　此種方式制備的LED引入了與傳統點膠制程不同的噴粉制程，噴粉制程對白光的一致性以及光源出光效率及光斑效果均有一定改善與提升。

　　以上兩種制程方案始終沒有在焊線制程做出改變，經過長期的研究與分析，Bond Wire結構模式在很大程度上影響LED的可靠性。當前LED死燈原因大致可分為兩種：一種是晶片本身失效，造成此類原因有靜電擊穿、漏電、散熱不良等;另一種則是連接晶片的導線(金線)開路，造成此類原因很大程度上是由于Bond Wire過程中留下的隱患以及Bond Wire本身的結構缺陷造成，如：焊線參數不當，瓷咀使用時間過長或發生破損不被及時發現等等。

　　同時因為LED是不同材料組合一起的封裝體，在比較惡劣的環境下(如我國北方地區晝夜溫差較大)使用時會因各個材料的熱膨脹系數不同以及附著能力的影響造成LED引線斷開造成開路引起LED失效。

　　基于改善上述兩個方案最大的不足，下面引入一個新制程方案。

　　Flip chip介紹

　　LED封裝技術主要是往高發光效率、高可靠性、高散熱能力與薄型化發展。從晶片來看，目前最普遍的是水平式晶片,水平式LED使用藍寶石基板，散熱能力較差，且在高電流驅動下，光取出效率下降幅度也較大。而比較高端的廠商則研發垂直式晶片與覆晶型晶片，覆晶型晶片為縮短晶片到基板的距離創造了條件，同時采用的是AuSn合金共晶，這大大的減小了晶片到散熱基板之間的熱阻，從而提高LED的可靠性。