真明麗Ceramic+filp chip產(chǎn)品介紹

　　通過前面闡述，LED熱阻及結(jié)溫是影響LED出光效率及壽命的兩個(gè)關(guān)鍵因素，相反的，當(dāng)LED的熱阻降低以及LED工作時(shí)結(jié)溫較低時(shí)，LED將擁有更好的出光效率以及更長的壽命。因此要提高LED的出光效率以及降低熱阻及結(jié)溫以便提高LED的可靠性上面，必須尋找一種有著高導(dǎo)熱系數(shù)以及與晶片近似的熱膨脹系數(shù)的材料作為LED散熱基板成為了一種研究方向。同時(shí)由于LED產(chǎn)生的90%熱量都是向下走，基于散熱考慮，研究表明陶瓷基板線路對(duì)位精確度高，并且陶瓷基板具有與晶片有著接近的熱膨脹系數(shù)與高耐熱能力，有效的解決了熱歪斜與高溫制程，為業(yè)界公認(rèn)導(dǎo)熱與散熱性能極佳材料，被大量的使用于功率型LED。

　　當(dāng)前主流的Ceramic產(chǎn)品幾種常見制程介紹：

　　第一種如下：

　　此種制程方式制備的LED與傳統(tǒng)的方式幾乎一致，不同的是傳統(tǒng)大功率采用的是金屬熱沉，而這里采用的是陶瓷散熱基板，很重要的白光制程依然采用傳統(tǒng)的點(diǎn)膠方式。

　　第二種如下：

　　此種方式制備的LED引入了與傳統(tǒng)點(diǎn)膠制程不同的噴粉制程，噴粉制程對(duì)白光的一致性以及光源出光效率及光斑效果均有一定改善與提升。

　　以上兩種制程方案始終沒有在焊線制程做出改變，經(jīng)過長期的研究與分析，Bond Wire結(jié)構(gòu)模式在很大程度上影響LED的可靠性。當(dāng)前LED死燈原因大致可分為兩種：一種是晶片本身失效，造成此類原因有靜電擊穿、漏電、散熱不良等;另一種則是連接晶片的導(dǎo)線(金線)開路，造成此類原因很大程度上是由于Bond Wire過程中留下的隱患以及Bond Wire本身的結(jié)構(gòu)缺陷造成，如：焊線參數(shù)不當(dāng)，瓷咀使用時(shí)間過長或發(fā)生破損不被及時(shí)發(fā)現(xiàn)等等。

　　同時(shí)因?yàn)長ED是不同材料組合一起的封裝體，在比較惡劣的環(huán)境下(如我國北方地區(qū)晝夜溫差較大)使用時(shí)會(huì)因各個(gè)材料的熱膨脹系數(shù)不同以及附著能力的影響造成LED引線斷開造成開路引起LED失效。

　　基于改善上述兩個(gè)方案最大的不足，下面引入一個(gè)新制程方案。

　　Flip chip介紹

　　LED封裝技術(shù)主要是往高發(fā)光效率、高可靠性、高散熱能力與薄型化發(fā)展。從晶片來看，目前最普遍的是水平式晶片,水平式LED使用藍(lán)寶石基板，散熱能力較差，且在高電流驅(qū)動(dòng)下，光取出效率下降幅度也較大。而比較高端的廠商則研發(fā)垂直式晶片與覆晶型晶片，覆晶型晶片為縮短晶片到基板的距離創(chuàng)造了條件，同時(shí)采用的是AuSn合金共晶，這大大的減小了晶片到散熱基板之間的熱阻，從而提高LED的可靠性。