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藍光LED節能效益驚人細節揭秘

2015-08-12 作者: 來源:新興產業戰略智庫 瀏覽量: 網友評論: 0

摘要: 本文追溯了氮化鎵材料和藍色發光二極管的發展歷史,回顧了重要的歷史事件。III 簇氮化物是直接帶隙半導體材料,發光范圍紫外到紅外,覆蓋整個可見光區,是理想的光電器件材料。同時,具有優越的物理性質,在高溫、高能、高頻微波器件以及高壓電子電力器件都有廣泛的應用。

  藍色發光LEDs的早期研究

  藍色發光LED的研究更為漫長和曲折。起初人們嘗試研究間接帶隙的碳化硅( SiC) 和直接帶隙的硒化鋅( ZnSe) ,都沒能實現高效發光。1950s后期,Philips Research實驗室已經開始認真研究基于GaN的新發光技術的可行性,盡管那時Gan的帶隙才剛剛被測定。H.G.Grimmeiss 和H.Koelmans 用不同的活化劑,實現了基于Gan的寬光譜高效光致發光,據此申請了一項專利。然而,當時Gan晶體的生長非常難,只能得到粉末狀的小晶粒,根本無法制備p-n結。Philips 的研究者放棄了Gan的研究,決定還是集中力量研究Gap體系。

  1960s后期,美國、日本和歐洲的數個實驗室,均在研究Gan的生長和摻雜技術。1969年,Maruska和Tietjen首先用化學氣相沉積( Chemical Vapor phase Deposition) 的方法在藍寶石襯底上制得大面積的Gan薄膜,這種方法是用HCl 氣體與金屬Ga 在高溫下反應生成GaCl,然后再與NH3反應生成GaN,這種方法的生長速率很快( 可達到0.5 μm/min) ,可以得到很厚的薄膜,但由此得到的外延晶體有較高的本底n型載流子濃度,一般為1019cm -3 。

  1971年美國RCA實驗室的Pankove研究發現了氮化物材料中形成高效藍色發光中心的雜質原子,并研制出MIS( 金屬-絕緣體-半導體) 結構的GaN藍光LED器件,這就是全球最先誕生的藍色LED。但是限于當時的生長技術,難于長出高質量的Gan薄膜材料,同時p型摻雜也未能解決,因此外部量子效率只有0.1%,看不到應用的前景。藍色發光二極管成為橫在科學家面前的難題。Gan熔點高,缺乏匹配襯底,Gan晶體生長十分困難,而且能隙比ZnSe大,因此p型摻雜被認為是難上加難。所以大多數研究人員都放棄了Gan的研究,或者轉戰ZnSe。Gan研究陷于較長時間的停滯期。

  艱難的探索

  人類對III族氮化物的研究可以追溯到八十多年前,首先是在1932年, Johnson等人利用金屬Ga和氨氣反應,制備合成了Gan的粉末。但此后Gan的研究一直處于停滯階段。在曠日持久的艱難跋涉中,許多人看不到希望而放棄了努力,現年85歲的赤崎勇是少數的孤行者,奮斗了幾十年,在持久的探索中找到了一條通向光明的路。

  赤崎勇早年畢業于京都大學,1952年入職神戶工業公司,該公司以重視科學研究著稱。當時,江崎也在該公司從事科研工作,1973年江崎因在半導體中發現電子的量子隧穿效應獲得諾貝爾物理學獎。受其影響,赤崎勇也將主要精力投入到了半導體研究。1959年,赤崎勇進入名古屋大學工作,1964年獲得該校博士學位。1981年至1992年任名古屋大學教授。1992年,轉到名城大學擔任教授至今。

  適合藍色發光的寬禁帶半導體材料有碳化硅( SiC) 、硒化鋅( ZnSe) 和GaN。1960年代,致力于藍色發光器件研究的人員大多都以這3種材料為研究對象。在當時只有SiC就實現了p-n結,成為研究重點。而SiC為間接帶隙半導體,難以實現高效發光,更無法制成半導體激光器。ZnSe和Gan雖然都是直接帶隙材料,但晶體生長非常困難,而且都沒有形成p型摻雜。

  赤崎早在1966年前后就對藍色LED和藍色半導體激光器的開發持有強烈意愿。當時他就職于松下電器東京研究所( 后更名為松下技研) ,主要從事氮化鋁(AlN) 和砷化鎵( GaAs) 的晶體生長及特性研究。1970年代,美國RCA公司和荷蘭飛利浦公司的同仁先后放棄氮化鎵研究,赤崎卻迎難而上,于1973年正式開始Gan藍色發光器件的研究?!拔乙仓繥an的p-n結和藍色發光器件非常難以實現。但既然反正都要做,就決定挑戰一下比較難的GaN?!彼⑾碌哪繕耸菍崿Fp型摻雜,實現亮度更高的藍色LED和藍色半導體激光器,將此挑戰作為畢生的事業。

  1974年,赤崎的研究小組利用舊的真空蒸鍍裝置改造拼湊了MBE( 分子束外延生長) 裝置,長出了不太均勻的Gan薄膜。第二年,赤崎提交的“關于藍色發光元件的應用研究”申請獲得日本通商產業省的起為期3年的資助。赤崎用這筆資金購置了新的MBE 裝置繼續進行實驗,但Gan薄膜的質量并沒有得到提高。隨后他們又嘗試了HVPE( 氫化物氣相外延) 法,進展仍然不盡如人意。赤崎認識到: 由于氮氣的蒸汽壓極高,采用超高真空的MBE 法并不是最適合Gan的生長,而HVPE法的生長速度過快,而且伴隨部分逆反應,晶體質量較差。MOCVD( 有機金屬化學氣相沉積) 的生長速度介于MBE 法和HVPE法之間,最適合Gan生長。于是在1979年赤崎決定采用MOCVD法研究Gan的生長。在襯底選擇上,赤崎綜合考慮晶體的對稱性、物理性質的匹配、對高溫生長條件的耐受性等因素,經過一年多實驗,在對Si、GaAs 和藍寶石等進行反復對比研究后,決定使用藍寶石作為外延襯底。同時,赤崎做出的這兩項決定,即采用MOCVD生長法和藍寶石作為外延襯底,無疑是重要的關鍵的決定,至今仍然被廣泛采用。

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