藍光LED節能效益驚人細節揭秘
摘要： 本文追溯了氮化鎵材料和藍色發光二極管的發展歷史，回顧了重要的歷史事件。III 簇氮化物是直接帶隙半導體材料，發光范圍紫外到紅外，覆蓋整個可見光區，是理想的光電器件材料。同時，具有優越的物理性質，在高溫、高能、高頻微波器件以及高壓電子電力器件都有廣泛的應用。
發展與展望
自上世紀80年代開始，經過赤崎勇、天野浩和中村修二等一大批包括中國的科技工作者的努力，Gan技術得到了突飛猛進的發展，Gan逐步成為繼鍺硅、GeAs 等材料后最重要的第三代半導體材料體系。LED照明在過去10 多年間已形成龐大的高技術產業，目前正由光效驅動向成本和品質驅動轉變，智能照明、超越照明發展迅速。然而在LED為代表的Gan光電子器件迅猛發展的同時，Gan電子器件發展的大門才剛剛開啟。Gan基微波功率器件已取得一系列關鍵性突破，開始在軍用雷達上應用，很快也將在移動通訊基站上大規模應用，現今的工作主要是提升器件的可靠性和高頻特性。Gan基電力電子器件正在成為新的研發熱點，市場巨大，未來產業有可能與LED照明并駕齊驅。
Gan材料和器件仍然面臨一系列關鍵科學和技術問題有待攻克。比如，Gan體材料晶體的實現還在艱難的探索之中。正如中村所說，我們很幸運，還有許多困難有待我們去克服。今天，耄耋之年的赤崎勇終于笑到了最后，天野浩和中村修二正年富力強，仍然在孜孜不倦的工作。迄今，天野署名發表的有關Gan研究方面的科技論文有475 篇，中村則有548 篇，并擁有上百項發明專利。
LED芯片小如芝麻，然而，小小的LED正在照亮我們的世界。
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